Компьюлента. 3 апреля 2003 года, 11:19
Компания AMD сообщила о своих достижениях в области разработки новых транзисторов нового поколения. В ходе исследовательских разработок специалистам компании удалось создать транзистор, скорость переключения которого на 30% превышает аналогичный показатель транзисторов прошлого поколения. При разработке нового транзистора инженеры AMD использовали все имеющиеся в их распоряжении технологии, в частности, полностью истощенный кремний на изоляторе (Fully Depleted Silicon-on-Insulator).
В рамках другого исследования инженеры AMD разработали высокоскоростной транзистор на базе "напряженного" (strained) кремния, который имеет деформированную кристаллическую решетку, обеспечивающую большую подвижность электронов и, как следствие, повышенные рабочие частоты транзисторов. В новых "напряженных" транзисторах AMD используются металлизированные затворы, что позволило достичь 20-25-процентного прироста производительности, по сравнению с другими транзисторами на базе "напряженного" кремния.
По заявлениям руководителей компании, новые достижения в области создания транзисторов позволят AMD оставаться на переднем крае современных технологий в течение ближайших нескольких лет. Подробности о новых разработках и перспективах их использования в массовых продуктах компания намерена сообщить на симпозиуме VLSI, который пройдет 12-13 июня этого года в Киото, в Японии.
